Legea lui Moore ce spune ca numarul de tranzistori ce pot fi amplasati pe un cip se dubleaza odata la doi ani, avanseaza din nou, acum cu ajutorul laserului.

Productia curenta de cipuri se bazeaza pe tehnici fotolitografice care pot produce cipuri cu dimensiuni mai mari decat lungimea de unda aplicata.

Un proces descris de curand in articolul””Breaking the Far-Field Diffraction Limit in Optical Nanopatterning via Repeated Photochemical and Electrochemical Transitions in Photochromic Molecules” si publicat in cadrul Physical Review Letters publicatie MIT descrie cum se pot produce structuri ale unui cip de 8 ori mai mic decat lungimea de unda cu care este produs. Dupa cum spun cercetatorii au reusit sa treaca si aceasta bariera in litografie si in curand tehnologia va fi testata in cadrul unor laboratoare de productie.

STED – Stimulated Emission Depletion Imaging reprezinta o modificare a caracteristicilor fluorescente ale materialelor de a emite lumina atunci cand este folosita o raza laser. Modificarea puterii acestei raze laser permite modificarea dimensiunii procesului litografic pentru a include un numar mai mare de tranzistori pe aceeasi suprafata.

In curind se va accelera aceasta tranzitie probabil o data la 2-3 luni va aparea un cip cu o putere mai mare de calcul si o suprafata egala sau mai mica cu cel precedent.

Lasă un răspuns

Acest sit folosește Akismet pentru a reduce spamul. Află cum sunt procesate datele comentariilor tale.